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MRAM技術的硬盤隨機性能炸裂

2018-01-16 14:33:23

Everspin基于MRAM技術的nvNITRO ES1GB、ES2GB硬盤,雖然容量只有1-2GB,但是4K隨機性能高達150萬IOPS,延遲只有6微秒,遠遠高于目前的企業(yè)級SSD硬盤。

NAND閃存是目前非易失性存儲芯片中的主流芯片,雖然這一年來的漲價、缺貨讓不少消費者、廠商的心七上八下,,但是大家也沒有別的選擇。在新一代存儲芯片技術中,MRAM(磁阻隨機存取存儲器)被業(yè)界看好,因為它同時具備SRAM的快速及非易失性閃存的特點,只不過目前的MRAM閃存大部分還處在研發(fā)階段,還沒有真正上市。Everspin公司日前宣布將于今年Q2季度上市基于MRAM技術的nvNITRO ES1GB、ES2GB硬盤,別看容量才1-2GB,但是4K隨機性能高達150萬IOPS,延遲只有6微秒,遠遠高于目前的企業(yè)級SSD硬盤。

目前MRAM技術大都是基于ST(Spin-transfer torque,自旋鈕轉換)技術,Everspin公司的nvNITRO硬盤也不例外,它基于該公司的256Mb DDR3 ST-MRAM芯片打造,目前實現(xiàn)的容量是1GB和2GB,分別使用32顆、64顆ST-MRAM芯片,接口則是PCI-E 3.0 8x,HHHL半高半長規(guī)格,支持NVMe標準。

官方通告中沒有提及隨機讀寫速度,只給出了4K QD=32隨機性能高達150萬IOPS,延遲則只有6微秒,這個指標放在高端企業(yè)級SSD中也是非常強悍的,Aanandtech網(wǎng)站給出的兩個例子就是Intel最強企業(yè)級硬盤DC P3700延遲有20微秒,HGST企業(yè)級SSD Ultrastar SN260硬盤隨機性能也不過120萬IOPS。

根據(jù)Everspin公司所說,他們預計Q2季度正式推出nvNITRO硬盤,會有U.2、M.2等其他規(guī)格的產(chǎn)品,容量也會涵蓋512MB到8GB范圍。

除此之外,過段時間他們還會推出基于DDR4界面的1Gb ST-MRAM芯片,硬盤容量可以達到4-16GB了。
 

本文關鍵詞:NAND閃存     MRAM

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