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格羅方德透露7 納米制程最新進展

2017-12-20 15:13:37

因競爭對手臺積電、三星將在2018年進入7納米先進制程,因此格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)今年不斷地放出自己關于7納米制程的信息,用來引起業界的關注。近日在2017 年國際電子元件會議(IDEM 2017)上,格羅方德(GlobalFoundries)公布了有關7 納米制程的詳細信息,能效比14納米工藝降低40%。

據報導,晶圓代工大廠格羅方德(GlobalFoundries)公布了有關其 7 納米制程的詳細資訊。與當今用于IBM Power 服務器芯片、AMD 處理器,以及其他產品的 14 納米制程產品相比,7 納米制程在密度、性能與效率方面都明顯優于14 納米制程。
 
格羅方德最新一代的 3D 或 FinFET 電晶體,在 7 納米制程下具有 30 納米的鰭間距(導電通道之間的間距)、56 納米的柵極間距、以及 40 納米的最小金屬間距。此外,7 納米制程可生產的最小高密度 SRAM 單元尺寸為 0.0269 平方微米。以上公布的這些間距尺寸,與 14 納米制程相比進步非常大。對此,格羅方德方面表示,其調整了鰭片形狀與輪廓以獲取最佳性能。不過,格羅方德卻拒絕提供有關該翅片寬度與高度的測量資料。
 
而根據格羅方德所公布的這些尺寸,不僅與臺積電的 7 納米制程相似,與英特爾宣稱跟其他晶圓代工廠 7 納米制程同等級的 10 納米制程來說也非常類似。另一家晶圓代工大廠三星,則將于 2018 年初在國際固態電路研討會(ISSCC 2018)上公布其直接采用 EUV 技術的 7 納米制程的詳細資訊。
 
格羅方德預計 7 納米制程能夠達成 2.8 倍的電晶體密度提升,并提高 40% 的性能表現,亦或者是在同等性能條件下將功耗降低 55%。另外在高性能版本上,還能夠額外提供 10% 的性能提升。
 

本文關鍵詞:SRAM

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