從需求面來看，雖然一些細(xì)分市場正在成長，但并未出現(xiàn)殺手級的應(yīng)用或是特別繁榮的細(xì)分市場。因此，問題應(yīng)該就出在供應(yīng)面。

　　
美光(Micron)表示，2017年DRAM供給位元預(yù)計成長15-20%，可說是近20年來最低的位元成長率(bit growth)。如此低的位元成長率，主要是因為DRAM微縮限制。市場上有很長一段時間都沒有任何有關(guān)DRAM微縮的消息了。當(dāng)供給位元成長低于45%時，這時就是賣方的市場了。因此，DRAM的寡頭壟斷、低位元成長率，以及制造擴(kuò)張遲緩，導(dǎo)致長期的供應(yīng)吃緊。最終的局面可能就是DRAM的價格不斷上漲，而供應(yīng)面卻不會有任何改變。

　　
                                              

                                             
                                             


NAND市場競爭非常激烈。基于3D NAND將大幅提高生產(chǎn)力的市場預(yù)期，所有的NAND廠商都投入了數(shù)十億美元于3D NAND制造。因此，供應(yīng)過剩估計會持續(xù)一段時間。但是，這種期待只是一種假象。3D NAND的制造比大家想像的要困難得多。目前，幾家NAND供應(yīng)商都得努力地推出3D NAND。

許多分析師預(yù)計，大約在2018年底，當(dāng)64層和96層3D NAND快閃存儲器的制造趨于成熟時，市場供應(yīng)緊張的情況將會得到緩解。所以，明年將會有足夠的NAND供應(yīng)嗎?如圖所示，平面NAND的橫向微縮(即摩爾定律)以2的N次冪方式呈指數(shù)級增加位元單元。相對地，3D NAND的單元層數(shù)(即垂直微縮)則線性增加位元單元。目前，根據(jù)摩爾定律，平面NAND符合位元單元的指數(shù)級需求成長。然而，平面NAND面對微縮限制，3D NAND僅以線性位元成長率，將難以達(dá)到市場的需求。

　　
綜上所述的，存儲器價格較高不再只是因為供需失衡。從現(xiàn)在開始，我們幾乎不會看到存儲器價格降下來，因為存儲器價格如此居高不下，主要是因為存儲器元件的微縮限制。


本文關(guān)鍵詞：DRAM  存儲器

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