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異步SRAM存儲(chǔ)器應(yīng)用領(lǐng)域

2020-08-19 09:51:30

CYPRESS的異步SRAM產(chǎn)品包含業(yè)界最多樣的異步低功耗SRAM產(chǎn)品組合,密度范圍從64Kb至64Mb。MoBL SRAM提供業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)電壓、總線寬度及封裝選項(xiàng)。 此裝置提供領(lǐng)先業(yè)界的待機(jī)功率消耗(最大)規(guī)格。MoBL異步SRAM是各種應(yīng)用中電池供電解決方案的理想選擇。MoBL SRAM裝置適用于工業(yè)、汽車及輻射硬化溫度等級(jí)。
 
帶有ECC的異步SRAM適用于各種要求最高可靠性和性能標(biāo)準(zhǔn)的工業(yè),醫(yī)療,商業(yè),汽車和軍事應(yīng)用。快速SRAM是諸如交換機(jī)和路由器,IP電話,測(cè)試設(shè)備和汽車電子產(chǎn)品之類的網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用的理想選擇。MoBL®SRAM用于PLC,多功能打印機(jī)和可植入醫(yī)療設(shè)備等一系列應(yīng)用領(lǐng)域的高性能,電池供電和電池供電的解決方案。
 
工業(yè)控制器
異步SRAM器件用于可編程邏輯控制器(PLC)設(shè)計(jì)中,以備份需要通過斷電保護(hù)的關(guān)鍵工具位置和操作數(shù)據(jù)。備用電源由電池或超級(jí)電容器提供。
 
工業(yè)控制器的關(guān)鍵要求是降低功耗和降低軟錯(cuò)誤率。在工業(yè)控制器中,軟錯(cuò)誤會(huì)由于設(shè)置信息損壞而導(dǎo)致啟動(dòng)時(shí)出現(xiàn)故障,從而導(dǎo)致系統(tǒng)故障。
 
 
聯(lián)網(wǎng)
路由器設(shè)計(jì)在電池后備配置中使用SRAM,以永久存儲(chǔ)啟動(dòng)配置。該數(shù)據(jù)是用戶可修改的,對(duì)于設(shè)備的正常運(yùn)行至關(guān)重要。SRAM還用于永久存儲(chǔ)LAN接口的硬件修訂版,標(biāo)識(shí)信息和媒體訪問控制(MAC)地址。不可恢復(fù)的軟錯(cuò)誤會(huì)對(duì)網(wǎng)絡(luò)設(shè)備中的流量目標(biāo)等造成嚴(yán)重破壞。
 
下圖所示的示意圖中顯示了一種常用配置,該圖顯示了MoBL®SRAM如何在具有Supervisory芯片的電池供電配置中使用。
 
 
多功能打印機(jī)
多功能打印機(jī)(MFP)是MoBL®SRAM器件的主要應(yīng)用領(lǐng)域。多種數(shù)據(jù)永久或臨時(shí)存儲(chǔ)在MFP內(nèi)存中。硬盤驅(qū)動(dòng)器(HDD)或閃存驅(qū)動(dòng)器存儲(chǔ)各種類型的用戶信息,而用戶工具設(shè)置,網(wǎng)絡(luò)設(shè)置和配置數(shù)據(jù)則存儲(chǔ)在專用的MoBL®SRAM中。SRAM還用于作業(yè)狀態(tài)和字體表。數(shù)據(jù)對(duì)于設(shè)備的運(yùn)行至關(guān)重要,并通過電池的電源循環(huán)進(jìn)行保護(hù)。因此,MFP設(shè)計(jì)需要具有高可靠性和低錯(cuò)誤率的SRAM
 
 
 
 
CYPRESS異步SRAM

Density Org. Part number Speed (ns) Max. Operating VCCQ (V) Max. Operating Voltage (V) Min. Operating VCCQ (V) Min. Operating Voltage (V) Package
8Mb x8 / x16 CY62155E-3XWI -- 5.5 5.5 1.65 1.65 Wafer
8Mb 1M x 8 CY7C1059DV33-10ZSXI 10 3.6 3.6 3 3 TSOP II
8Mb 1M x 8 CY7C1059DV33-10ZSXIT 10 3.6 3.6 3 3 TSOP II
8Mb 512K x 16 CY7C1051DV33-12ZSXIT 12 3.6 3.6 3 3 TSOP II
8Mb 512K x 16 CY7C1051DV33-10ZSXIT 10 3.6 3.6 3 3 TSOP II
8Mb 512K x 16 CY7C1051DV33-12ZSXI 12 3.6 3.6 3 3 TSOP II
8Mb 512K x 16 CY7C1051DV33-10BAXIT 10 3.6 3.6 3 3 FBGA
8Mb 512K x 16 CY7C1051DV33-10BAXI 10 3.6 3.6 3 3 FBGA
8Mb 512K x 16 CY7C1051DV33-10ZSXI 10 3.6 3.6 3 3 TSOP II

本文關(guān)鍵詞: 異步SRAM

上一篇文章:非易失性存儲(chǔ)器MRAM與FRAM的比較


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