新興的內(nèi)存技術(shù)已經(jīng)出現(xiàn)了數(shù)十年，它們已經(jīng)達(dá)到了一個(gè)臨界點(diǎn)，在更多的應(yīng)用中它們才有意義。
 
到2029年，新興存儲(chǔ)器市場(chǎng)的總收入有望達(dá)到200億美元，這主要是通過(guò)取代如今效率較低的NOR閃存和SRAM等存儲(chǔ)器技術(shù)，甚至取代DRAM銷(xiāo)售額的一部分。隨著未來(lái)工藝的縮減以及規(guī)模經(jīng)濟(jì)的提高，它們還將與現(xiàn)有的存儲(chǔ)器技術(shù)更具競(jìng)爭(zhēng)力，從而推動(dòng)價(jià)格下降，從而使它們既可以作為獨(dú)立的芯片也可以被嵌入ASIC，微控制器甚至計(jì)算處理器中。
     
盡管200億美元的數(shù)字聽(tīng)起來(lái)令人印象深刻，但重要的是要記住，這是所有新興內(nèi)存的市場(chǎng)，MRAM和PCRAM主要以Intel Optane的形式占據(jù)主導(dǎo)地位。
 
3D XPoint的收入增長(zhǎng)（再次以Intel Optane形式的PCRAM）定為收入，到2029年將達(dá)到160億美元，這要?dú)w功于其子DRAM價(jià)格。同時(shí)獨(dú)立的MRAM和STT-RAM收入將接近40億美元，是MRAM在2018年收入的170倍以上。與ReRAM一起，MRAM預(yù)計(jì)將競(jìng)爭(zhēng)取代SoC中的大部分嵌入式NOR和SRAM，甚至推動(dòng)更大的收入增長(zhǎng)。
 
新興的存儲(chǔ)器涵蓋了廣泛的技術(shù)，但是需要注意的關(guān)鍵是MRAM，PCRAM和ReRAM。已經(jīng)有一些離散的MRAM器件問(wèn)世了，但是有很多關(guān)于代工廠(chǎng)使用專(zhuān)用芯片構(gòu)建ASIC并用非易失性選項(xiàng)代替易失性存儲(chǔ)器的討論。這將是最大的推動(dòng)因素之一。
 
NOR閃存無(wú)法擴(kuò)展到超過(guò)28納米，這也將注意力轉(zhuǎn)移到了替代產(chǎn)品上。過(guò)去，在嵌入式應(yīng)用程序（例如，MCU或ASIC）上擁有新興內(nèi)存的唯一原因是，您需要它具有一些技術(shù)屬性，但是卻總是增加成本。能夠使用較小的工藝節(jié)點(diǎn)替換NOR閃存的前景引起了人們的興趣。

   
總體而言，新興存儲(chǔ)器的經(jīng)濟(jì)也在改善，因?yàn)榇S(chǎng)商不一定必須添加另一個(gè)后端工藝，而是使其成為現(xiàn)有CMOS工藝的一部分，隨著產(chǎn)量的增加和制造成本的降低，制造成本降低了。產(chǎn)量提高。這是“ MRAM的黃金時(shí)代”，因?yàn)殡S著代工廠(chǎng)商希望將其構(gòu)建到嵌入式芯片中，它有機(jī)會(huì)證明自己的數(shù)量，而PCRAM在其背后得到了英特爾Optane的支持。同時(shí)ReRAM 在人工智能和機(jī)器學(xué)習(xí)應(yīng)用中引起了很多關(guān)注。甚至FRAM仍然存在，作為某些應(yīng)用程序的黑馬競(jìng)爭(zhēng)者。
 
但是要說(shuō)出贏(yíng)家還為時(shí)過(guò)早，盡管對(duì)新興內(nèi)存技術(shù)的前景很樂(lè)觀(guān)，但仍然很難在根深蒂固的技術(shù)上站穩(wěn)腳跟。即使經(jīng)濟(jì)狀況有所改善，也很難擺脫領(lǐng)導(dǎo)地位。如果不是成本領(lǐng)先者，那么與已確立的技術(shù)相比，擁有的所有這些令人贊嘆的技術(shù)優(yōu)勢(shì)實(shí)際上并不意味著很多。



本文關(guān)鍵詞：SRAM    MRAM

上一篇文章：為什么將FRAM用于事件數(shù)據(jù)記錄器？

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