MRAM是一種非易失性的磁性隨機存儲器。它擁有SRAM的高速讀取寫入能力，以及DRAM的高集成度，而且基本上可以無限次地重復寫入。MRAM具有接近零的靜態(tài)功耗，較高的讀寫速度，與互補金屬氧化物半導體（CMOS）工藝相兼容等優(yōu)點，在車用電子與穿戴設備等領域已實現商業(yè)化應用，被認為是最有希望的下一代存儲器之一。
 
Everspin在磁存儲器設計制造和交付相關應用方面的知識和經驗在半導體行業(yè)中是翹楚。Everspin擁有600多項有效專利和應用的知識產權組合，在平面內和垂直磁隧道結 (MTJ) STT-MRAM 位單元的開發(fā)方面處于市場領先地位。  
 
MR4A08BCYS35是一款容量16Mb的磁阻隨機存取存儲器MRAM芯片，位寬2Mx8位字。提供與SRAM兼容的35ns的快速讀/寫周期，具有無限讀寫耐力，數據在超過20年的時間里始終是非易失性的。數據通過低壓抑制電路在斷電時自動保護，以防止電壓超出規(guī)格的寫入。是必須快速永久存儲和檢索關鍵數據和程序的應用的理想內存解決方案。
 
MR4A08BCYS35采用符合RoHS的小尺寸TSOP2封裝。封裝兼容與類似的低功耗SRAM產品和其他非易失性ram產品。通過更換電池供電的SRAM提高可靠性，實現更簡單、更高效的設計。在很寬的溫度范圍內提供高度可靠的數據存儲。更多產品相關信息Everspin代理請洽英尚微。


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