非易失性存儲器內存鐵電ram是高性能和高可靠性的一種存儲器，具有高讀寫耐久性和快速寫入速度的非易失性存儲器。FRAM不需要備用電池來保存數據，與EEPROM、閃存等傳統非易失性存儲器相比，具有更高的讀/寫耐久性、更快的寫入速度和更低的功耗。
 
FRAM鐵電隨機存取存儲器是一種使用鐵電文件作為存儲數據的電容器的存儲器。即使斷電也能保留內容。結合了ROM和RAM的優點，具有快速寫入速度、低功耗和高讀/寫周期耐久性，也稱為FeRAM。
 
富士通半導體已大量生產具有高讀寫耐久性、高速寫入操作和低功耗的FRAM非易失性存儲器產品。尤其是FRAM產品保證的讀/寫周期為10萬億周期，是競爭對手提供的非易失性存儲器EEPROM的1000萬倍。因此富士通FRAM產品已被用于需要頻繁重寫數據的工業應用，例如實時數據記錄和3D定位數據記錄。
 
MB85R8M2T是一種8Mbit FRAM，在富士通的FRAM非易失性存儲器系列中具有比較大的密度。具有1.8V至3.6V的寬電源電壓范圍和兼容SRAM的并行接口。該產品是最合適的存儲器，可滿足正在開發工業機械并希望使用比當前4Mbit FRAM更大的密度的客戶的要求，或消除對用于備份的SRAM電池的需求停電期間的數據。
 
通過在各種工業應用中使用這種新的FRAM產品替換SRAM設備，例如在設施和機器人的控制單元中，它可以消除對備用電池的需求，并且可以節省大約90%的存儲部件安裝面積，這有助于降低電池相關成本。


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